氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）是一種寬禁帶半導體材料，在電力電子、射頻（RF）器件和光電子領域有著廣泛的應用。與傳統的硅基材料相比，GaN具有更高的電子遷移率、擊穿電場強度和熱導率，能夠在高溫、高頻和高功率條件下工作，因此在提高能效和減小設備體積方面展現出巨大潛力。

　　近年來，隨著技術的進步和市場需求的增長，全球氮化鎵產業進入了快速發展階段。特別是在射頻電子領域，如5G通信基站中的功率放大器，GaN技術因其出色的性能而受到青睞。此外，在電動汽車/混合動力汽車的電源管理系統中，GaN也顯示出了替代傳統硅基產品的趨勢。預計未來幾年內，全球GaN市場的復合年增長率將保持較高水平。

　　在中國，氮化鎵行業同樣呈現蓬勃發展的態勢。中國政府高度重視半導體產業的發展，并將其列為國家戰略性新興產業之一。隨著國內企業對GaN技術研發投入的增加，中國在這一領域的競爭力不斷增強。目前，中國不僅擁有完整的GaN產業鏈，包括材料生長、器件制造、封裝測試等環節，而且在某些細分市場上已經達到了國際領先水平。例如，在消費電子快充領域，中國品牌推出的基于GaN的充電器已經在全球范圍內獲得廣泛應用。2024年1-6月，中國（含臺灣）半導體行業投資資金按項目類別來看硅片投資占比最高，占比約為48.9%，投資金額達到327.3億人民幣；Sic/Gan投資占比約為16.9%，投資金額達到113.5億人民幣。

　　圖表：2020-2023年中國GaN產能

　　數據來源：中投產業研究院整理

　　圖表：2015-2024年中國氮化鎵技術領域專利申請及授權量

　　數據來源：企知道、中投產業研究院整理（截至2024年8月29日）

　　圖表：中投顧問對2024-2028年中國GaN產能規模預測

　　數據來源：中投產業研究院整理

　　為了推動氮化鎵行業的發展，中國政府出臺了一系列政策措施給予支持。這些政策包括但不限于研發資金補助、稅收減免、知識產權保護以及設立國家級創新平臺等。例如，《中國制造2025》規劃明確提出要大力發展新一代信息技術產業，其中就包括了氮化鎵在內的新材料。此外，地方政府也在積極推動地方性產業發展計劃，為相關企業提供更多的成長空間。

　　中投產業研究院發布的《2024-2028年中國氮化鎵（GaN）產業深度調研及投資前景預測報告》共九章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等，接著分析了半導體材料和氮化鎵產業的整體發展狀況。然后報告從企業競爭、市場主要類型、應用領域、國內外企業等方面對氮化鎵行業進行了系統解析，最后報告對氮化鎵產業的投資潛力及發展前景進行了科學的預測。

報告目錄

第一章　氮化鎵相關概述

1.1　氮化鎵基本介紹
1.1.1　氮化鎵基本概念
1.1.2　氮化鎵形成階段
1.1.3　氮化鎵性能優勢
1.1.4　氮化鎵半導體作用
1.2　氮化鎵材料的特性
1.2.1　結構特性
1.2.2　化學特性
1.2.3　光學特性
1.2.4　電學性質
1.2.5　磁學特性
1.3　氮化鎵的制備方法
1.3.1　金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術
1.3.2　分子束外延（MBE）技術
1.3.3　氫化物氣相外延（HVPE）技術
1.3.4　懸空外延技術（Pendeo-epitaxy）

第二章　2022-2024年半導體材料行業發展綜述

2.1　半導體材料相關概述
2.1.1　第一代半導體材料
2.1.2　第二代半導體材料
2.1.3　第三代半導體材料
2.1.4　半導體材料的應用
2.2　2022-2024年全球半導體材料發展狀況
2.2.1　市場規模分析
2.2.2　市場態勢分析
2.2.3　區域分布狀況
2.2.4　細分市場結構
2.2.5　產業重心轉移
2.3　2022-2024年中國半導體材料行業運行狀況
2.3.1　行業發展特性
2.3.2　市場發展規模
2.3.3　企業注冊數量
2.3.4　產業轉型升級
2.3.5　應用環節分析
2.3.6　項目建設動態
2.4　半導體材料行業存在的問題及發展對策
2.4.1　行業發展滯后
2.4.2　產品同質化問題
2.4.3　供應鏈不完善
2.4.4　行業發展建議
2.4.5　行業發展思路
2.5　半導體材料產業未來發展前景展望
2.5.1　市場結構性機會
2.5.2　行業發展前景
2.5.3　行業發展趨勢
2.5.4　新型材料展望

第三章　2022-2024年氮化鎵產業發展深度分析

3.1　氮化鎵產業發展綜述
3.1.1　產業鏈條分析
3.1.2　產業發展歷程
3.1.3　產業支持政策
3.1.4　國產化的進展
3.2　2022-2024年氮化鎵市場發展狀況
3.2.1　氮化鎵市場發展變局
3.2.2　氮化鎵市場產值規模
3.2.3　氮化鎵應用狀況分析
3.2.4　氮化鎵應用技術突破
3.2.5　氮化鎵芯片產業化進展
3.3　氮化鎵技術專利申請狀況
3.3.1　中國氮化鎵專利申請狀況
3.3.2　中國氮化鎵專利技術構成
3.3.3　中國氮化鎵專利申請人分析
3.3.4　中國氮化鎵專利發明人分析
3.3.5　中國氮化鎵技術創新熱點

第四章　2022-2024年氮化鎵企業競爭情況分析

4.1　2022-2024年全球氮化鎵企業競爭分析
4.1.1　全球氮化鎵市場區域競爭
4.1.2　全球氮化鎵企業競爭格局
4.1.3　全球氮化鎵企業市場份額
4.1.4　全球氮化鎵企業布局情況
4.1.5　全球氮化鎵企業投資并購
4.1.6　全球氮化鎵中國企業布局
4.2　2022-2024年中國氮化鎵企業競爭分析
4.2.1　國內氮化鎵競爭態勢
4.2.2　國內氮化鎵集中度
4.2.3　國內氮化鎵企業研發及創新
4.2.4　國內氮化鎵廠商布局
4.3　氮化鎵快充市場主要廠商及制造工廠
4.3.1　氮化鎵快充市場發展現狀
4.3.2　主要廠商及其合作伙伴
4.3.3　氮化鎵快充制造工廠
4.3.4　未來技術發展趨勢分析
4.4　GaN器件主要企業及其產品分布
4.4.1　GaN電力電子器件
4.4.2　GaN光電子器件

第五章　2022-2024年氮化鎵器件主要類型發展分析

5.1　發光二極管（LED）
5.1.1　發光二極管（LED）發展概述
5.1.2　發光二極管（LED）市場發展現狀
5.1.3　發光二極管（LED）模塊進出口數據
5.1.4　氮化鎵基藍綠光LED發展歷程
5.1.5　氮化鎵在LED領域的技術突破
5.2　場效應晶體管（FET）
5.2.1　場效應晶體管（FET）發展概述
5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
5.2.3　GaN　FET產品的應用情況
5.2.4　GaN　FET產品研發進展
5.3　激光二極管（LD）
5.3.1　激光二極管（LD）發展概述
5.3.2　激光二極管（LD）背景技術
5.3.3　激光器進出口市場數據分析
5.3.4　GaN基激光器發展概況分析
5.3.5　GaN基激光器應用狀況分析
5.3.6　GaN基激光器技術發展情況
5.3.7　GaN基激光器發展前景展望
5.4　二極管（Diodes）
5.4.1　二極管（Diodes）發展概述
5.4.2　二極管進出口市場數據分析
5.4.3　氮化鎵二極管技術發展狀況
5.5　射頻器件（RF）
5.5.1　射頻器件（RF）發展概述
5.5.2　GaN射頻器件市場發展狀況
5.5.3　GaN射頻元件企業發展分析
5.5.4　GaN射頻器件主要需求領域
5.6　太陽能電池（Solar　Cells）
5.6.1　中國太陽能電池進出口數據分析
5.6.2　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展概述
5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5　InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展展望

第六章　2022-2024年氮化鎵應用領域分析

6.1　氮化鎵在電力電子產業的應用
6.1.1　電力電子器件產業發展意義
6.1.2　GaN應用在電力電子領域的優勢
6.1.3　GaN電力電子器件分布情況
6.1.4　GaN基電力電子器件關鍵技術
6.1.5　氮化鎵應用機會及趨勢
6.2　氮化鎵在新能源產業的應用
6.2.1　氮化鎵在新能源行業的優勢
6.2.2　氮化鎵在新能源行業應用潛力
6.2.3　氮化鎵在新能源的機會與挑戰
6.2.4　氮化鎵在新能源產業應用前景
6.3　氮化鎵在智能電網產業的應用
6.3.1　氮化鎵在智能電網產業中的應用領域
6.3.2　氮化鎵在智能電網產業的應用優勢
6.3.3　氮化鎵在智能電網產業中未來發展方向
6.3.4　氮化鎵在智能電網產業中的市場發展預測
6.4　氮化鎵在通訊設備產業的應用
6.4.1　氮化鎵在通訊設備市場需求分析
6.4.2　氮化鎵在通訊設備市場技術問題
6.4.3　氮化鎵在通訊設備市場應用前景
6.5　氮化鎵其他領域應用分析
6.5.1　GaN在無線基站領域應用
6.5.2　GaN在紫外探測領域的應用
6.5.3　GaN在紅外探測領域的應用
6.5.4　GaN在壓力傳感器中的應用
6.5.5　GaN在生物化學探測領域的應用

第七章　2022-2024年國際氮化鎵產業重點企業經營狀況分析

7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1　企業發展概況
7.1.2　企業發展動態
7.1.3　企業經營狀況
7.2　科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1　企業發展概況
7.2.2　企業產品開發
7.2.3　企業經營狀況
7.3　亞德諾半導體（Analog Devices, Inc.）
7.3.1　企業發展概況
7.3.2　企業產品開發
7.3.3　企業經營狀況
7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1　企業發展概況
7.4.2　企業產品開發
7.4.3　企業經營狀況
7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1　企業發展概況
7.5.2　企業發展動態
7.5.3　企業布局狀況
7.5.4　企業經營狀況

第八章　2021-2024年中國氮化鎵產業重點企業經營狀況分析

8.1　蘇州納維科技有限公司
8.1.1　企業發展概況
8.1.2　企業主營業務
8.1.3　企業項目動態
8.2　蘇州能訊高能半導體有限公司
8.2.1　企業發展概況
8.2.2　企業發展成就
8.2.3　企業項目進展
8.3　東莞市中鎵半導體科技有限公司
8.3.1　企業發展概況
8.3.2　企業核心技術
8.3.3　企業發展動態
8.3.4　企業發展規劃
8.4　三安光電股份有限公司
8.4.1　企業發展概況
8.4.2　經營效益分析
8.4.3　業務經營分析
8.4.4　財務狀況分析
8.4.5　核心競爭力分析
8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1　企業發展概況
8.5.2　經營效益分析
8.5.3　業務經營分析
8.5.4　財務狀況分析
8.5.5　核心競爭力分析
8.6　四川海特高新技術股份有限公司
8.6.1　企業發展概況
8.6.2　企業的行業地位
8.6.3　經營效益分析
8.6.4　業務經營分析
8.6.5　財務狀況分析
8.6.6　核心競爭力分析

第九章　2024-2028年氮化鎵產業投資分析及前景預測

9.1　氮化鎵產業投資潛力分析
9.1.1　產業投資機會
9.1.2　企業并購動態
9.1.3　投資擴產狀況
9.1.4　市場進入壁壘
9.2　氮化鎵產業發展前景展望
9.2.1　產業發展前景
9.2.2　市場應用潛力
9.2.3　市場發展機遇
9.3　中投顧問對2024-2028年中國氮化鎵市場預測分析
9.3.1　中投顧問對氮化鎵發展驅動五力模型分析
9.3.2　中投顧問對2024-2028年中國GaN產能規模預測